(资料图片仅供参考)

今年第二季度，国际半导体产业协会（SEMI）正式发布了碳化硅半导体外延晶片全球首个SEMI国际标准——《4H-SiC同质外延片标准》（Specification for 4H-SiC Homoepitaxial Wafer）。此标准由瀚天天成电子科技（厦门）股份有限公司主导编写，由中国科学院半导体研究所、株洲中车时代电气股份有限公司、Wolfspeed等十二家单位参与编写，历时近三年时间。

国际半导体产业协会（SEMI）是全球性的产业协会，致力于国际标准的制定，积极促进微电子、平面显示器及太阳能光电等产业供应链的整体发展，代表着全球各地产业的呼声和需求，是行业发展趋势的风向标。《4H-SiC同质外延片标准》这一国际标准的发布实施，将在规范国际碳化硅半导体外延行业有序发展，降低国际贸易协作成本，加速新技术在全球的推广等方面具有深远的意义。

对于瀚天天成而言，成功主导编写碳化硅半导体外延晶片全球首个SEMI国际标准意义重大，不仅能够进一步树立瀚天天成在碳化硅半导体行业的领导品牌地位，进一步夯实行业话语权与核心竞争力，而且有助于瀚天天成与行业内的上下游企业单位紧密合作，在共同推动国际碳化硅半导体行业的稳健进步和创新发展方面做出应有的贡献。

除了此次发布实施的国际标准外，瀚天天成自2011年成立以来还成功主导编写了2项国内团体标准，参与编写了7项行业标准和团体标准（其中1项行业标准和3项团体标准已经发布）。

标签：